TAPERED SIO2 ETCH IN DIODE-TYPE REACTIVE ION ETCHING

被引：5

作者：

KUDOH, H

YOSHIDA, T

FUKUMOTO, M

OHZONE, T

机构：

[1] Matsushita Electric Industrial Co, Moriguchi, Jpn, Matsushita Electric Industrial Co, Moriguchi, Jpn

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2108989

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1666 / 1670

页数：5

共 5 条

[1]

BERGENDAHL AS, 1984, SOLID STATE TECH NOV, P107

[2]

BOGLEROHWER E, 1985, SOLID STATE TECH APR, P251

[3]

CASTELLANO RN, 1984, SOLID STATE TECHNOL, P203

[4] SIDEWALL TAPERING IN REACTIVE ION ETCHING [J].

NAGY, AG .

OLDHAM, WG ;

NEUREUTHER, AR ;

SUNG, C ;

REYNOLDS, JL ;

NANDGAONKAR, SN .