RELIABILITY OF INGAASP/INP BURIED HETEROSTRUCTURE 1.3-MU-M LASERS

被引：17

作者：

MIZUISHI, K

SAWAI, M

TODOROKI, S

TSUJI, S

HIRAO, M

NAKAMURA, M

机构：

[1] HITACHI LTD,TAKASAKI WORKS,TAKASAKI,GUMMA,JAPAN

[2] HITACHI LTD,PROD ENGN RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO 185,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JQE.1983.1072019

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1294 / 1301

页数：8

共 15 条

[11] RELIABILITY OF INGAASP INP BURIED HETEROSTRUCTURE LASERS [J].

MIZUISHI, KI ;

HIRAO, M ;

TSUJI, S ;

SATO, H ;

NAKAMURA, M .

[12]

SABBAG NAJ, 1975, METAL FINISHING MAR

[13]

TSUJI S, 1982, 14TH INT C SOL STAT

WRIGHT, PD ;

JOYCE, WB ;

CRAFT, DC .

YAMAMOTO, T ;

SAKAI, K ;

AKIBA, S .