IMPACT IONIZATION AND QUANTUM EFFICIENCY IN SILICON

被引：13

作者：

HODGKINSON, RJ

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON | 1963年 / 82卷 / 525期

关键词：

D O I：

10.1088/0370-1328/82/1/308

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：58 / +

页数：1

共 27 条

[21] PHOTOEMISSIVE STUDIES OF BAND STRUCTURE OF SILICON [J].

SPICER, WE ;

SIMON, RE .

STRATTON, R .

PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES, 1957, 242 (1230) :355-373

[23] ELECTRON EMISSION FROM SILICON P-N JUNCTIONS [J].

TAUC, J .

[24]

TAUC J, 1959, CZECH J PHYS, V9, P95

TEWORDT, L .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1954, 138 (05) :499-514

[26]

Vavilov V. S., 1958, ZH EKSP TEOR FIZ+, V34, P521

[27]

Vavilov VS., 1958, J EXP THEOR PHYS USS, V34, P1354