THE ORIGIN OF OXIDATION INDUCED ENHANCEMENT OF SI+ SPUTTER YIELD IN SIMS

被引：8

作者：

YU, ML ^{[1
]}

CLABES, J ^{[1
]}

VITKAVAGE, DJ ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1985年 / 3卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.573056

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：1316 / 1317

页数：2

共 5 条

HOLLINGER, G ;

HIMPSEL, FJ .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1983, 1 (02) :640-645

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