FABRICATION OF SUBMICROMETER MOSFETS USING GAS IMMERSION LASER DOPING (GILD)

被引：42

作者：

CAREY, PG ^{[1
]}

BEZJIAN, K ^{[1
]}

SIGMON, TW ^{[1
]}

GILDEA, P ^{[1
]}

MAGEE, TJ ^{[1
]}

机构：

[1] XMR INC,SANTA CLARA,CA 95051

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1986年 / 7卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26429

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：440 / 442

页数：3

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