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A PROPOSED PLANAR JUNCTION STRUCTURE WITH NEAR-IDEAL BREAKDOWN CHARACTERISTICS

被引：6
作者：
AHMAD, S
AKHTAR, J
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1985.26194
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：465 / 467
页数：3
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共 7 条
[1]   A FAST METHOD OF CALCULATING AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF SEMICONDUCTOR P-N-JUNCTION [J].
AHMAD, S .
PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1981, 69 (04) :478-480
[2]  
AHMAD S, 1985, UNPUB JUN NASECODE 4
[3]  
AHMAD S, UNPUB
[4]   BREAKDOWN VOLTAGE OF A RECTANGULAR PLANAR DIFFUSED JUNCTION WITH ROUNDED CORNERS [J].
AKHTAR, J ;
AHMAD, S .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1984, 31 (12) :1781-1783
[5]  
BALIGA BJ, 1982, IEE P 1, V12, P173
[6]  
BALIGA BJ, 1981, SILICON INTEGRATED B, P208
[7]  
HWANG KW, 1984, IEEE T ELECTRON DEV, V31, P1126, DOI 10.1109/T-ED.1984.21675
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