学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

BREAKDOWN VOLTAGE OF A RECTANGULAR PLANAR DIFFUSED JUNCTION WITH ROUNDED CORNERS

被引：5
作者：
AKHTAR, J
AHMAD, S
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1984年 / 31卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1984.21788
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：1781 / 1783
页数：3
相关论文
共 5 条
[1]   A FAST METHOD OF CALCULATING AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF SEMICONDUCTOR P-N-JUNCTION [J].
AHMAD, S .
PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1981, 69 (04) :478-480
[2]  
[Anonymous], COMMUNICATION
[3]   HIGH-VOLTAGE DEVICE TERMINATION TECHNIQUES - A COMPARATIVE REVIEW [J].
BALIGA, BJ .
IEE PROCEEDINGS-I COMMUNICATIONS SPEECH AND VISION, 1982, 129 (05) :173-179
[4]  
KENNEDY DP, 1960, IBM J RES DEV, V9, P303
[5]   EFFECT OF JUNCTION CURVATURE ON BREAKDOWN VOLTAGE IN SEMICONDUCTORS [J].
SZE, SM ;
GIBBONS, G .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1966, 9 (09) :831-&
1