SURFACE CHEMICAL TREATMENT EFFECTS IN ULTRAHIGH PURITY P-TYPE SI DETECTORS

被引：4

作者：

TAKAMI, Y ^{[1
]}

SHIRAISHI, F ^{[1
]}

HOSOE, M ^{[1
]}

机构：

[1] RIKKYO UNIV,FAC SCI,DEPT PHYS,TOSHIMA KU,TOKYO 171,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4332292

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：376 / 379

页数：4

共 5 条

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