TEMPERATURE-DEPENDENT CREATION OF LIGHT-INDUCED DEFECTS IN A-SI-H SCHOTTKY-BARRIER DIODES

被引:9
作者
GLADE, A
BEICHLER, J
MELL, H
机构
关键词
D O I
10.1016/0022-3093(85)90683-0
中图分类号
TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
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页数:4
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