FORMATION OF SCHOTTKY JUNCTIONS IN SILICON BY ION-IMPLANTATION

被引：3

作者：

BOLLMANN, J

KLOSE, H

MERTENS, A

机构：

[1] Humboldt-Univ zu Berlin, Berlin, East Ger, Humboldt-Univ zu Berlin, Berlin, East Ger

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1986年 / 97卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210970154

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K95 / K99

页数：5

共 4 条

[1] ION-BEAM CONTACTING OF SILICON .1. ALUMINUM IN PARA-SILICON [J].

KLOSE, H ;

MERTENS, A ;

REETZ, R ;

TANG, N .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1983, 77 (01) :233-239

[2]

KRAUTLE H, 1973, ION IMPLANTATION SEM, P585

MAASS, K ;

IRMSCHER, K ;

KLOSE, H .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1985, 91 (02) :667-675

[4]

MERTENS A, 1985, PHYS STATUS SOLIDI A, V88, P369, DOI 10.1002/pssa.2210880142