HOT-ELECTRONS IN MOS-TRANSISTORS - LATERAL DISTRIBUTION OF THE TRAPPED OXIDE CHARGE

被引：14

作者：

LOMBARDI, C

OLIVO, P

RICCO, B

SANGIORGI, E

VANZI, M

机构：

[1] UNIV BOLOGNA,IST ELETTRON,I-40136 BOLOGNA,ITALY

[2] UNIV PADUA,INST ELETTROTECN & ELETTRON,I-35100 PADUA,ITALY

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25543

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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