AUTODOPING OF ANTIMONY AND ARSENIC IN SILICON EPITAXIAL LAYERS

被引：1

作者：

KATONA, P

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(83)90224-9

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：9 / 15

页数：7

共 6 条

[1]

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