TUNNELING FROM METAL TO SEMICONDUCTORS

被引：56

作者：

GRAY, PV

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1965年 / 140卷 / 1A期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.140.A179

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：A179 / +

页数：1

共 15 条

PEARSON, GL ;

BARDEEN, J .

PHYSICAL REVIEW, 1949, 75 (05) :865-883

[12] IMPURITY CONDUCTION IN SILICON [J].

RAY, RK ;

FAN, HY .

PHYSICAL REVIEW, 1961, 121 (03) :768-&

[13] SURFACE STATES ON SILICON AND GERMANIUM SURFACES [J].

STATZ, H ;

DEMARS, GA ;

DAVIS, L ;

ADAMS, A .

PHYSICAL REVIEW, 1956, 101 (04) :1272-1281

[14] SURFACE STATES ON SILICON AND GERMANIUM SURFACES [J].

STATZ, H ;

DEMARS, G ;

DAVIS, L ;

ADAMS, A .

PHYSICAL REVIEW, 1957, 106 (03) :455-464

[15]

1962, PHYS REV LETTERS, V9, P302