THEORY OF TRANSIENT EMISSION CURRENT IN MOS DEVICES AND DIRECT DETERMINATION INTERFACE TRAP PARAMETERS

被引：84

作者：

SIMMONS, JG ^{[1
]}

WEI, LS ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TORONTO, ELECTR ENGN DEPT, TORONTO, ONTARIO, CANADA

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1974年 / 17卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(74)90059-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：117 / 124

页数：8

相关论文

共 12 条

[11] AN INVESTIGATION OF SURFACE STATES AT A SILICON SILICON OXIDE INTERFACE EMPLOYING METAL OXIDE SILICON DIODES
TERMAN, LM
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1962, 5 (SEP-O) : 285 - 299
[12] LIMITATIONS OF MOS CAPACITANCE METHOD FOR DETERMINATION OF SEMICONDUCTOR SURFACE PROPERTIES
ZAININGER, KH
WARFIELD, G
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1965, ED12 (04) : 179 - +