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RECOMBINATION LIFETIME OF SHORT-BASE-WIDTH DEVICES USING THE PULSED MOS CAPACITOR TECHNIQUE

被引：2
作者：
AMINZADEH, M
FORBES, L
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1988年 / 35卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1109/16.2488
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：518 / 521
页数：4
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