TEMPERATURE-INDEPENDENT PRESSURE SENSORS USING POLYCRYSTALLINE SILICON STRAIN-GAUGES

被引：22

作者：

SCHAFER, H ^{[1
]}

GRAEGER, V ^{[1
]}

KOBS, R ^{[1
]}

机构：

[1] PHILIPS GMBH,FORSCHUNGSLABOR HAMBURG,D-2000 HAMBURG 54,FED REP GER

来源：

SENSORS AND ACTUATORS | 1989年 / 17卷 / 3-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0250-6874(89)80040-X

中图分类号：

O65 [分析化学];

学科分类号：

070302 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：521 / 527

页数：7

共 7 条

[1]

Bethe K., 1982, NTG-Fachberichte, V79, P168

[2]

BINDER J, 1985, BMFT FORSCHUNGSBERIC, P28

[3]

GERMER W, 1984, THESIS HAMBURG, P57

LU, NCC ;

LU, CY ;

LEE, MK ;

SHIH, CC ;

WANG, CS ;

REUTER, W ;

SHENG, TT .

[5] POLYCRYSTALLINE SILICON-BASED SENSORS [J].

LUDER, E .

SENSORS AND ACTUATORS, 1986, 10 (1-2) :9-23

[6]

OBERMEIER E, 1985, 85 P SENSOR TRANSD T

[7] ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS [J].

SETO, JYW .