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ION PROBE TECHNIQUE FOR STUDY OF GALLIUM DIFFUSION IN SILICON-NITRIDE FILMS
被引:17
作者
:
LODDING, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CHALMERS UNIV TECHNOL,MAT SCI CTR,40220 GOTHENBURG 5,SWEDEN
CHALMERS UNIV TECHNOL,MAT SCI CTR,40220 GOTHENBURG 5,SWEDEN
LODDING, A
[
1
]
LUNDKVIST, L
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
CHALMERS UNIV TECHNOL,MAT SCI CTR,40220 GOTHENBURG 5,SWEDEN
CHALMERS UNIV TECHNOL,MAT SCI CTR,40220 GOTHENBURG 5,SWEDEN
LUNDKVIST, L
[
1
]
机构
:
[1]
CHALMERS UNIV TECHNOL,MAT SCI CTR,40220 GOTHENBURG 5,SWEDEN
来源
:
THIN SOLID FILMS
|
1975年
/ 25卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0040-6090(75)90067-X
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
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页码:491 / 500
页数:10
相关论文
共 13 条
[11]
ROUBEROL JM, 1968, 5 P INT C XRAY OPT M
[12]
SERAN JL, 1974, 7 P INT C XRAY OPT M
[13]
CHARACTERIZATION OF SILICON NITRIDE FILMS
TAFT, EA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
TAFT, EA
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1971,
118
(08)
: 1341
-
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共 13 条
[11]
ROUBEROL JM, 1968, 5 P INT C XRAY OPT M
[12]
SERAN JL, 1974, 7 P INT C XRAY OPT M
[13]
CHARACTERIZATION OF SILICON NITRIDE FILMS
TAFT, EA
论文数:
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TAFT, EA
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1971,
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