ION PROBE TECHNIQUE FOR STUDY OF GALLIUM DIFFUSION IN SILICON-NITRIDE FILMS

被引:17
作者
LODDING, A [1 ]
LUNDKVIST, L [1 ]
机构
[1] CHALMERS UNIV TECHNOL,MAT SCI CTR,40220 GOTHENBURG 5,SWEDEN
关键词
D O I
10.1016/0040-6090(75)90067-X
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页数:10
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