SILICON INTERSTITIAL GENERATION BY ARGON IMPLANTATION

被引：22

作者：

BRONNER, GB

PLUMMER, JD

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95575

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：510 / 512

页数：3

共 7 条

[1]

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[2]

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[5]

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