学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

A TRUE SINGLE-TRANSISTOR OXIDE-NITRIDE-OXIDE EEPROM DEVICE

被引：70
作者：
CHAN, TY
YOUNG, KK
HU, CM
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1987年 / 8卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1987.26563
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：93 / 95
页数：3
相关论文
共 6 条
[1]  
FENG WS, 1986, IEEE ELECTR DEVICE L, V6, P449
[2]  
JOHNSON WS, 1980, ISSCC, P152
[3]  
Liang M. S., 1986, IEEE ELECTR DEVICE L, V7, P463
[4]  
Masuoka F., 1984, International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No. 84CH2099-0), P464
[5]   A SOURCE-SIDE INJECTION ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY-MEMORY (SI-EPROM) DEVICE [J].
WU, AT ;
CHAN, TY ;
KO, PK ;
HU, CM .
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1986, 7 (09) :540-542
[6]   DISCHARGING PROCESS BY MULTIPLE TUNNELINGS IN THIN-OXIDE MNOS STRUCTURES [J].
YAMAMOTO, H ;
IWASAWA, H ;
SASAKI, A .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1982, 29 (08) :1255-1261
1