THE FORMATION OF SHALLOW LOW-RESISTANCE SOURCE DRAIN REGIONS FOR VLSI CMOS TECHNOLOGIES

被引:12
作者
BUTLER, AL
FOSTER, DJ
机构
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1985.21924
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页数:6
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