FATIGUE PHENOMENA OF FTMIS MEMORY TRANSISTORS

被引：6

作者：

HORIUCHI, M ^{[1
]}

ITOH, Y ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,TOKYO 185,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1977.18784

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：587 / 590

页数：4

共 16 条

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