VERY HIGH-GAIN ALGAAS/GAAS PNP HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTOR

被引：3

作者：

NAJJAR, FE ^{[1
]}

ENQUIST, PM ^{[1
]}

SLATER, DB ^{[1
]}

CHEN, MY ^{[1
]}

LINDEN, KJ ^{[1
]}

机构：

[1] SPIRE CORP,BEDFORD,MA 01730

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890699

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1047 / 1048

页数：2

共 4 条

DELYON, TJ ;

CASEY, HC ;

ENQUIST, PM ;

HUTCHBY, JA ;

SPRINGTHORPE, AJ .

HUTCHBY, JA .

SUNDERLAND, DA ;

DAPKUS, PD .

[4]

TIWARI S, 1988, 46TH ANN DEV RES C B