GAAS ATOMIC LAYER EPITAXY BY HYDRIDE VPE

被引：100

作者：

USUI, A

SUNAKAWA, H

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.25.L212

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L212 / L214

页数：3

共 5 条

[1] ATOMIC LAYER EPITAXY OF III-V BINARY COMPOUNDS [J].

BEDAIR, SM ;

TISCHLER, MA ;

KATSUYAMA, T ;

ELMASRY, NA .

MIZUNO, O ;

WATANABE, H .

[3] MOLECULAR LAYER EPITAXY [J].

NISHIZAWA, J ;

ABE, H ;

KURABAYASHI, T .

SEIFERT, W ;

SCHWETLICK, S ;

REINHOLD, J ;

BUTTER, E .

[5]

SUNTOLA T, 1984, 16TH C SOL STAT DEV, P647