INFLUENCE OF IMPLANTED XENON ON SPUTTERING YIELD OF SILICON

被引:20
作者
BLANK, P [1 ]
WITTMAACK, K [1 ]
机构
[1] GESELLSCH STRAHLEN & UMWELTFORSCH MBH,PHYS TECH ABT,D-8042 NEUHERBERG,FED REP GER
来源
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1975年 / 27卷 / 1-2期
关键词
D O I
10.1080/00337577508233004
中图分类号
TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];
学科分类号
0827 ; 082701 ;
摘要
引用
收藏
页码:29 / 33
页数:5
相关论文
共 23 条