MODELING OF AN ION-IMPLANTED SILICON-GATE DEPLETION-MODE IGFET

被引:56
作者
HUANG, JST [1 ]
TAYLOR, GW [1 ]
机构
[1] HONEYWELL INC,SOLID STATE ELECTR CTR,PLYMOUTH,MN 55441
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1975.18259
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页数:7
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