RADIATION TOLERANCE OF NMOS TECHNOLOGY ON INDIUM-PHOSPHIDE

被引：2

作者：

LILE, DL ^{[1
]}

TAYLOR, MJ ^{[1
]}

MESSICK, LJ ^{[1
]}

ZEISSE, CR ^{[1
]}

COLLINS, DA ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,ROME AIR DEV CTR,BEDFORD,MA 01731

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25843

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：94 / 96

页数：3

共 8 条

[1]

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