CRYSTAL-GROWTH OF GE STUDIED BY REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION AND PHOTOEMISSION

被引：8

作者：

AARTS, J ^{[1
]}

HOEVEN, AJ ^{[1
]}

LARSEN, PK ^{[1
]}

机构：

[1] PHILIPS RES LABS,5600 JA EINDHOVEN,NETHERLANDS

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1988年 / 6卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.575177

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：607 / 610

页数：4

相关论文

共 12 条