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- [11] CAPACITANCE ENERGY LEVEL SPECTROSCOPY OF DEEP-LYING SEMICONDUCTOR IMPURITIES USING SCHOTTKY BARRIERS[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 41 (04) : 1767 - +ROBERTS, GICROWELL, CR
- [12] Varma S., UNPUB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SILICON-TIN OXIDE HETEROJUNCTIONS PREPARED BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
被引：34
作者：
VARMA, S
[1
]
RAO, KV
[1
]
KAR, S
[1
]
机构：
[1] INDIAN INST TECHNOL,ADV CTR MAT SCI,KANPUR 208016,UTTAR PRADESH,INDIA
关键词：
D O I：
10.1063/1.333815
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：2812 / 2822
页数：11
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