PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY AND FIELD-ENHANCED CONDUCTIVITY IN AMORPHOUS-SILICON DOPING-MODULATED SUPERLATTICES

被引：19

作者：

HANEMAN, D

ZHANG, DH

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 35卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.35.2536

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：2536 / 2539

页数：4

共 15 条

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