DISPLACEMENT DAMAGE IN MOS TRANSISTORS

被引：12

作者：

MESSENGER, GC

STEELE, EJ

NEUSTADT, M

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1965年 / NS12卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1965.4323902

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页数：1

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[4] 1964, IBM J RESEARCH DEVEL, V8