CONTROL OF EXPLOSIVE LIQUID-PHASE CRYSTALLIZATION OF ION-IMPLANTED SILICON LAYERS BY DOUBLE PULSE LASER IRRADIATION

被引：8

作者：

WAGNER, M

GEILER, HD

ANDRA, G

GOTZ, G

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1984年 / 83卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210830149

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K1 / K3

页数：3

共 5 条

ANDRA, G ;

GEILER, HD ;

GOTZ, G ;

HEINIG, KH ;

WOITTENNEK, H .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1982, 74 (02) :511-515

AUVERT, G ;

BENSAHEL, D ;

PERIO, A ;

NGUYEN, VT ;

ROZGONYI, GA .

[3] THE EFFECT OF IMPLANTATION ON EXPLOSIVELY CRYSTALLIZED A-SI [J].

BENSAHEL, D ;

AUVERT, G .

[4]

GOTZ G, 1982, PHYS STAT SOL A, V73, pK161

[5]

LERME M, 1982, LASER ELECTRON BEAM