MEASUREMENT OF HOLE MOBILITY IN HEAVILY DOPED N-TYPE SILICON

被引：70

作者：

SWIRHUN, SE

DELALAMO, JA

SWANSON, RM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26333

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：168 / 173

页数：6

共 14 条

[11] MINORITY-CARRIER DIFFUSION-COEFFICIENTS AND MOBILITIES IN SILICON [J].

NEUGROSCHEL, A .

[12]

SWIRHUN SE, UNPUB MEASUREMENTS M

[13] RESISTIVITY-DOPANT DENSITY RELATIONSHIP FOR BORON-DOPED SILICON [J].

THURBER, WR ;

MATTIS, RL ;

LIU, YM ;

FILLIBEN, JJ .

WIEDER, AW .