INVESTIGATION OF OXIDE PARTICLES IN CZOCHRALSKI SILICON HEAT-TREATED FOR INTRINSIC GETTERING USING SCANNING INFRARED MICROSCOPY

被引：11

作者：

LACZIK, Z ^{[1
]}

BOOKER, GR ^{[1
]}

BERGHOLZ, W ^{[1
]}

FALSTER, R ^{[1
]}

机构：

[1] MEMC ELECTR MAT INC,MILTON KEYNES MK12 5TB,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.101956

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2625 / 2627

页数：3

共 8 条

[1]

FALSTER R, IN PRESS J ELECTROCH

FURUYA, H ;

SUZUKI, I ;

SHIMANUKI, Y ;

MURAI, K .

KIDD, P ;

BOOKER, GR ;

STIRLAND, DJ .

[4]

KIDD P, 1987, C SER I PHYSICS, V87, P275

[5]

LACZIK Z, 1989, C SER I PHYSICS, V100, P807

[6]

LACZIK Z, 1989, SOLID STATE PHENOMEN, V7, P395

[7]

LACZIK Z, 1989, SOLID STATE PHENOM, V6, P395

[8] CHARACTERIZATION OF HAZE-FORMING PRECIPITATES IN SILICON [J].

SEIBT, M ;

GRAFF, K .