QUENCHED-IN DEFECTS IN FLASHLAMP-ANNEALED SILICON

被引：18

作者：

BORENSTEIN, JT

JONES, JT

CORBETT, JW

OEHRLEIN, GS

KLEINHENZ, RL

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

[2] IBM CORP,E FISHKILL FACIL,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 49卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.97169

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：199 / 200

页数：2

相关论文

共 14 条

[11] DEFECTS IN QUENCHED SILICON [J].

SWANSON, ML .

PHYSICA STATUS SOLIDI, 1969, 33 (02) :721-&

[12] IRON AS A THERMAL DEFECT IN SILICON [J].

WEBER, E ;

RIOTTE, HG .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 33 (05) :433-435

[13] IRON-RELATED DEEP LEVELS IN SILICON [J].

WUNSTEL, K ;

WAGNER, P .

SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1981, 40 (08) :797-799

[14]

[No title captured]