AL/SIO2/WSI2/SI DOUBLE-LEVEL METALLIZATION FOR CHARGE-COUPLED-DEVICE IMAGERS

被引：1

作者：

BABBAR, HL

ANAGNOSTOPOULOS, CN

FISCHER, JR

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.582955

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1645 / 1649

页数：5

共 5 条

[1]

BABBAR HL, 1985, MAY P WORKSH REFR ME

[2] METALLIZATION IN MICROELECTRONICS [J].

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[5]

VANHELLEMONT J, 1985, 4TH P OXF C MICR SEM