REDUCED HOT-ELECTRON EFFECTS IN MOSFETS WITH AN OPTIMIZED LDD STRUCTURE

被引：11

作者：

BAGLEE, DA

DUVVURY, C

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25959

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：389 / 391

页数：3

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共 4 条

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