AN OPERATIONAL DEFINITION FOR BREAKDOWN OF THIN THERMAL OXIDES OF SILICON

被引：22

作者：

HEIMANN, PA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21300

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1366 / 1368

页数：3

共 6 条

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