HIGH-SPEED 16-KBIT N-MOS RANDOM-ACCESS MEMORY

被引：5

作者：

ITOH, K

SHIMOHIGASHI, K

CHIBA, K

TANIGUCHI, K

KAWAMOTO, H

机构：

[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,TOKYO,JAPAN

[2] HITACHI LTD,CTR DEVICE DEV,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1976.1050785

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：585 / 590

页数：6

共 5 条

[1]

Ahlquist C. N., 1976, 1976 IEEE International Solid-State Circuits Conference. (Digest of technical papers), P128

[2] PERIPHERAL CIRCUITS FOR ONE TRANSISTOR CELL MOS RAMS [J].

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HARLAND, R .

[3]

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[4]

Itoh K., 1976, 1976 IEEE International Solid-State Circuits Conference. (Digest of technical papers), P140

STEIN, K ;

FRIEDRICH, H .