POTASSIUM ION-SENSITIVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS USING VALINOMYCIN DOPED PHOTORESIST MEMBRANE

被引:17
作者
KAWAKAMI, S [1 ]
AKIYAMA, T [1 ]
UJIHIRA, Y [1 ]
机构
[1] UNIV TOKYO,FAC ENGN,DEPT IND CHEM,BUNKYO KU,TOKYO 113,JAPAN
来源
FRESENIUS ZEITSCHRIFT FUR ANALYTISCHE CHEMIE | 1984年 / 318卷 / 05期
关键词
D O I
10.1007/BF00538728
中图分类号
O65 [分析化学];
学科分类号
070302 ; 081704 ;
摘要
引用
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页码:349 / 351
页数:3
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