EFFECT OF SURFACE-STATES ON THE BARRIER HEIGHT IN A MIS DIODE IN THE PRESENCE OF INVERSION

被引：10

作者：

CHATTOPADHYAY, P

DAW, AN

机构：

[1] Inst of Radio Physics &, Electronics, Calcutta, India, Inst of Radio Physics & Electronics, Calcutta, India

来源：

关键词：

BARRIER HEIGHT - MIS DIODE - SURFACE STATES;

D O I：

10.1080/00207218508939069

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：5