TEMPERATURE AND ILLUMINATION DEPENDENCE OF IRRADIATION DAMAGE IN SILICON

被引：8

作者：

STEIN, HJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1753750

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：235 / 236

页数：2

共 6 条

[1] ELECTRON BOMBARDMENT OF SILICON [J].

HILL, DE .

PHYSICAL REVIEW, 1959, 114 (06) :1414-1420

[2]

KORTRIGHT JM, 1962, B AM PHYS SOC, V7, P330

[3] SPIN RESONANCE IN ELECTRON IRRADIATED SILICON [J].

WATKINS, GD ;

CORBETT, JW ;

WALKER, RM .

[4]

WATKINS GD, 1962, SEP INT C CRYST LATT

WERTHEIM, GK .

PHYSICAL REVIEW, 1959, 115 (03) :568-569

[6] ELECTRON-BOMBARDMENT DAMAGE IN OXYGEN-FREE SILICON [J].

WERTHEIM, GK ;

BUCHANAN, DNE .