X-RAY-INVESTIGATION OF BORON-DOPED AND GERMANIUM-DOPED SILICON EPITAXIAL LAYERS

被引：73

作者：

HERZOG, HJ ^{[1
]}

CSEPREGI, L ^{[1
]}

SEIDEL, H ^{[1
]}

机构：

[1] FRAUNHOFER INST FESTKORPERTECHNOL,D-8000 MUNCHEN 60,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2115452

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2969 / 2974

页数：6

共 26 条

ROZGONYI, GA ;

MILLER, DC .

[22]

SEIDEL H, 1982, ELECTROCHEM SOC EXT, P194

[23]

SPILLER E, 1972, XRAY OPTICS APPLICAT, P35

[24]

VANDERMERWE JH, 1964, SINGLE CRYSTAL FILMS, P139

[25] STRAIN COMPENSATION IN SILICON BY DIFFUSED IMPURITIES [J].

YEH, TH ;

JOSHI, ML .

[26]

1979, ASTM F39877 STAND, P798