THE INFLUENCE OF GROWTH-CONDITIONS ON SULFUR INCORPORATION IN GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：25

作者：

ANDREWS, DA

HECKINGBOTTOM, R

DAVIES, GJ

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1983年 / 54卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.332636

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：4421 / 4425

页数：5

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共 21 条

[21] SURFACE EXCHANGE DOPING OF MBE GAAS FROM S AND SE CAPTIVE SOURCES [J].

WOOD, CEC .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 33 (08) :770-772