AN ANALYTICAL METHOD FOR PREDICTING CMOS SRAM UPSETS WITH APPLICATION TO ASYMMETRICAL MEMORY CELLS

被引：8

作者：

BUEHLER, MG

ALLEN, RA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1986.4334655

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1637 / 1641

页数：5

共 8 条

[1] PARAMETER EXTRACTION FROM SPACEBORNE MOSFETS [J].

BUEHLER, MG ;

MOORE, BT ;

NIXON, RH .

[2]

GLASSER LA, 1985, DESIGN ANAL VLSI CIR, pCH5

[3]

HU C, 1982, IEEE ELECTRON DEVICE, V3, P31

JAEGER, RC ;

FOX, RM ;

DIEHL, SE .

[5]

KANG SM, 1981, IEEE T CIRCUITS SYST, V28, P838, DOI 10.1109/TCS.1981.1085042

[6] SUGGESTED SINGLE EVENT UPSET FIGURE OF MERIT [J].

PETERSEN, EL ;

LANGWORTHY, JB ;

DIEHL, SE .

[7]

PICKEL JC, 1983, 1983 IEEE NUCL SPAC

[8]

VLADIMIRESCU A, 1980, UCBERLM807 U CAL EL