SIMPLE METHOD OF MEASURING DRIFT-MOBILITY PROFILES IN THIN SEMICONDUCTOR-FILMS

被引：70

作者：

PUCEL, RA ^{[1
]}

KRUMM, CF ^{[1
]}

机构：

[1] RAYTHEON CO,DIV RES,WALTHAM,MA 02154

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760186

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：240 / 242

页数：3

共 6 条

[1] INFLUENCE OF DEBYE LENGTH ON C-V MEASUREMENTS OF DOPING PROFILES [J].

JOHNSON, WC ;

PANOUSIS, PT .

LEHOVEC, K .

[3]

LEHOVEC K, 1975, 5TH P INT S GALL ARS, P292

[4]

Pucel RA, 1975, ADV ELECTRONICS ELEC, V38, P195, DOI DOI 10.1016/S0065-2539(08)61205-6

[5]

van der Pauw L. J., 1958, PHILIPS RES REP, V1958, P1

[6] SERIES RESISTANCE EFFECTS IN SEMICONDUCTOR CV PROFILING [J].

WILEY, JD ;

MILLER, GL .