GROWTH OF 3C-SIC ON SILICON BY MOLECULAR AND ION-BEAM EPITAXY

被引：4

作者：

MIYAZAWA, T

YOSHIDA, S

MISAWA, S

GONDA, S

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583127

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：730 / 731

页数：2

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共 4 条

[1]

GONDA S, 1984, 8TH P S ISIAT 84 TOK

[2] MOLECULAR AND ION-BEAM EPITAXY OF 3C-SIC [J].

MIYAZAWA, T ;

YOSHIDA, S ;

MISAWA, S ;

GONDA, S ;

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[3]

Shimada T., 1979, Oyo Buturi, V48, P1200

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