COMPOSITIONAL PROFILE OF THE AMORPHOUS SILICON/NITRIDE INTERFACE STUDIED WITH RUTHERFORD BACKSCATTERING

被引：7

作者：

ABELSON, JR ^{[1
]}

TSAI, CC ^{[1
]}

SIGMON, TW ^{[1
]}

机构：

[1] XEROX CORP, PALO ALTO RES CTR, PALO ALTO, CA 94304 USA

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 49卷 / 14期

关键词：

D O I：

10.1063/1.97514

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：850 / 852

页数：3

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