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GALLIUM ARSENIDE SURFACE STATES

被引：9
作者：
KAWAJI, S
GATOS, HC
机构：
来源：
SURFACE SCIENCE | 1964年 / 1卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1016/0039-6028(64)90008-1
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ; 081704 ;
摘要：
引用
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页码：407 / 410
页数：4
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共 4 条
[1]  
BUBE RH, 1962, PHYS REV, V128, P2062, DOI 10.1103/PhysRev.128.2062
[2]   TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTO-HALL EFFECTS IN HIGH-RESISTIVITY GALLIUM ARSENIDE .2. 2-CARRIER EFFECTS [J].
BUBE, RH ;
MACDONALD, HE .
PHYSICAL REVIEW, 1962, 128 (05) :2071-&
[3]   CROSS SECTIONS OF MIDGAP SURFACE STATES IN SILICON BY PULSED FIELD EFFECT EXPERIMENT [J].
RUPPRECHT, G .
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1960, 14 :208-213
[4]  
RUPPRECHT G, 1963, NY ACAD SCI, V101, P960
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