INVESTIGATIONS IN COBALT DOPED SILICON BY DLTS AND MOSSBAUER-EFFECT

被引：18

作者：

SCHEIBE, E ^{[1
]}

SCHROTER, W ^{[1
]}

机构：

[1] SONDERFORSCH BEREICH 126,D-3400 GOTTINGEN,FED REP GER

来源：

PHYSICA B & C | 1983年 / 116卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(83)90267-X

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：318 / 322

页数：5

共 31 条

ALMBLADH, CO ;

REES, GJ .

JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS, 1981, 14 (31) :4575-4601

[2]

ARUTYUNYAN VM, 1975, SOV PHYS SEMICOND+, V9, P826

[3]

BAKHADRY.MK, 1970, FIZ TVERD TELA+, V12, P144

[4]

BAKHADYR.MK, 1970, FIZ TVERD TELA+, V11, P3076

[5]

BAKHADYRKHANOV MK, 1976, SOV PHYS SEMICOND+, V10, P441

[6]

BAKHADYRKHANOV MK, 1976, SOV PHYS SEMICOND+, V10, P364

BERGHOLZ, W ;

SCHROTER, W .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1978, 49 (02) :489-498

BERGHOLZ, W .

[9]

BEVINGTON PR, 1969, DATA REDUCTION

[10]

CHANG MCP, 1971, PHYS REV, V134, P1229