CONDUCTIVITY OF AMORPHOUS SILICON-NITRIDE IN HIGH ELECTRIC-FIELDS

被引：4

作者：

GRITSENKO, VA

MEERSON, EE

MOGILNIKOV, KP

SINITSA, SP

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1977年 / 44卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210440263

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K167 / K170

页数：4

共 7 条

BROWN, GA ;

ROBINETT.WC ;

CARLSON, HG .

[2]

Ginovker A S, 1973, MIKROELEKTRONIKA, V2, P283

[3] 2-BAND CONDUCTION OF AMORPHOUS SILICON-NITRIDE [J].

GINOVKER, AS ;

GRITSENKO, VA ;

SINITSA, SP .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1974, 26 (02) :489-495

[4]

HIPPEL AP, 1961, DIELEKTRIKI VOLNI

[5] FOWLER-NORDHEIM TUNNELING INTO THERMALLY GROWN SIO2 [J].

LENZLINGER, M ;

SNOW, EH .

[6]

SILLIVAN ES, 1974, J PHYS D, V7, P1531

[7]

SZE SM, 1967, J APPL PHYS, V38, P295